- 기사 스크랩 - 댓글 - 공유 - 글자크기 - 프린트 Google 검색에서 한국경제 기사를 더 자주 볼 수 있습니다. 최장석 삼성전자 메모리사업부 신사업기획팀장(상무)은 이날 대만 타이베이에서 열린 세계 최대 반도체 소재·부품·장비 전시회 ‘타이완 2026’ 메모리 이그제큐티브 서밋 기조연설에서 이 같은 전략을 발표했다. 큐브는 메모리 성능을 좌우하는 용량(capacity), 최적화(utilization), 대역폭(bandwidth), 전력 및 열효율(efficiency)의 앞 글자를 딴 표현이다. 단순히 메모리를 수직으로 쌓는 것을 넘어 3차원(3D) 구조를 활용해 용량과 대역폭, 전력 및 열효율을 동시에 끌어올리는 것이 핵심이다. 최 상무는 메모리 용량 확대와 관련해 "인쇄회로기판(PCB) 면적에 제한되지 않고 보드 면적을 키우지 않고도 수직으로 확장해 메모리 용량을 늘릴 것"이라고 설명했다. 제한된 공간 안에서 반도체를 위로 쌓는 3D 구조를 통해 대용량 메모리를 구현하겠다는 의미로 풀이된다. 3D 적층 기술이 단순히 메모리를 쌓는 것이 아니라는 점도 강조했다. 최 상무는 "3D는 단순히 쌓는 것이 아니라 각 층을 어떻게 활용하느냐가 핵심"이라며 "삼성은 데이터 처리 지연을 없애기 위해 로직·메모리 배치를 최적화한다"고 말했다. 대역폭을 넓히기 위한 방안에 대해서 그는 "다이 사이의 거리를 획기적으로 단축함으로써 ‘수직 고속도로’를 형성하고 대역폭을 획기적으로 개선할 수 있다"고 했다. 베이스 다이를 수직으로 연결해 AI 가속기가 요구하는 처리 속도를 확보한다는 방침이다. 최 상무는 이어 "3D의 최종 목표는 단일 비트의 데이터를 이동시키는 데 필요한 에너지를 줄이는 것"이라며 "삼성전자는 구조적 효율성을 높여 와트당 성능을 극대화하고 있다"고 덧붙였다. 이를 통해 삼성전자는 HBM5의 성능을 HBM4E(7세대 HBM) 대비 2배로 끌어올리고, 열 저항은 기존 HBM의 75~90％ 수준으로 낮출 방침이다. zHBM은 HBM5보다 8배 높은 성능을 구현하는 게 목표다. zHBM은 HBM을 그래픽처리장치(GPU), 신경망처리장치(NPU) 등 연산용 칩 위에 수직으로 쌓아 올린 반도체다. 기존 HBM보다 성능과 전력 효율을 대폭 끌어올릴 수 있는 기술로 알려져 있다. 차세대 낸드플래시 zNAND-O는 2028년 첫 시제품 테스트를 하겠다는 계획이다. zNAND-O는 D램보다 비트 밀도가 10배 높아 대규모언어모델(LLM)에 필요한 대용량 데이터를 지원하는 제품이다. 기존 낸드보다 읽기 대역폭과 전력 효율을 7배 높인 것이 특징이다. 삼성전자는 기술 및 생산능력 경쟁력을 앞세워 AI 메모리 시장의 패권을 공고히 한다는 구상이다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자는 올해 2분기 글로벌 D램 시장에서 매출 기준 39%의 점유율로 1위를 기록했다. 같은 기간 낸드도 매출 기준 점유율 29.3%로 1위를 차지했다. 생산능력도 업계 최대 규모를 유지하고 있다. 시장조사업체 옴디아는 삼성전자의 올해 D램 생산능력을 300㎜ 웨이퍼 기준 연간 약 817만5000장으로 전망했다. SK하이닉스 약 666만 장, 마이크론 약 360만 장을 웃돈다. 삼성전자의 올해 낸드 웨이퍼 생산량도 약 477만 장으로 전 세계에서 가장 많다. 삼성전자 관계자는 “범용 D램과 낸드부터 HBM, 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 고부가 AI 메모리까지 폭넓은 제품군과 생산 인프라를 기반으로 시장 수요에 적기 대응할 것”이라고 말했다. 원종환 기자 [email protected] 한경 프리미엄9의 모든 콘텐츠는 한국경제신문의 저작물로 저작권법의 보호를 받습니다. 사전 허가 없는 무단 전재·복제·배포·캡처 공유·AI 학습 활용 및 상업적 이용을 금합니다. 위반 시 서비스 이용 제한 및 민형사상 법적 책임이 발생할 수 있습니다.