중국 최대 메모리 반도체 기업 창신메모리(CXMT)가 삼성전자와 SK하이닉스 등 우리 반도체 기업들이 아직 연구 단계인 4F²(포에프스퀘어) 기술을 사용한 서버용 반도체 제품을 올해 중에 출시하겠다고 공개했다. 국내 반도체 업계에서는 CXMT의 과도한 기술 마케팅이란 평가가 나오지만 중국의 연구개발(R&D) 능력이 빠르게 한국을 따라잡고 있음을 보여주는 ‘경고신호’라고 우려했다. 12일 반도체 업계와 현지 언론에 따르면 차오칸위(曹堪宇) CXMT 사장은 10일 중국 상하이에서 열린 ‘제4회 집적회로 및 칩렛 콘퍼런스’에서 4F² D램 구조를 적용한 차세대 DDR5 RDIMM 서버용 메모리를 연말까지 출시할 것이라고 밝혔다. 또 자신들이 독자 개발한 수직형 서라운딩 게이트(VSG) 트랜지스터를 통해 D램의 성능을 높일 수 있다고 밝혔다. CXMT는 이를 위해 기존 반도체 제조 공정의 핵심 단계도 재설계했다면서 단순히 기술을 넘어 양산 단계가 임박했음을 시사했다. 현재 D램 시장은 6F²(식스에프스퀘어) 구조의 제품이 보편적이다. 하지만 점차 미세하게 반도체를 만드는 것이 어려워지면서 성능 향상을 위해 D램 회로 구조를 더 작은 4F²로 바꿔야 하는 상황이다. 포에프스퀘어(4F²) 구조란 반도체 회로의 기본 단위(F)를 기준으로 데이터를 저장하는 방(셀)의 차지 면적을 기존 6칸에서 4칸으로 확 줄인 설계 기술이다.